課程代碼 |
L0N07Z01
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課程中文名稱 |
半導體元件物理
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課程英文名稱 |
Semiconductor Physics and Devices
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學分數 |
3.0
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必選修 |
選修
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開課班級 |
夜四技光電三甲,夜四技光電四甲
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任課教師 |
張勝博
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上課教室(時間) |
週五
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第12節
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(W0609)
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週五
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第13節
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(W0609)
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週五
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第14節
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(W0609)
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課程時數 |
3
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實習時數 |
0
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授課語言 |
1.華語
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輔導考證 |
無
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課程概述 |
課程內容主要講授半導體的基本特性和它的傳導過程,接著介紹P-N接面的相關知識與元件。
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先修科目或預備能力 |
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課程學習目標與核心能力之對應
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編號 | 中文課程學習目標 | 英文課程學習目標 | 對應系指標 |
1
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能詮釋半導體之專有名詞與基本知識。。
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To be able to explain the technical terminology of semiconductor and the fundamental knowledge.
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1 工程知識
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2
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能了解半導體之基本原理與相關計算。
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To be able to understand the fundamental principle and calculation of semiconductor.
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3 整合創新與資訊能力
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3
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能分析pn二極體與發光二極體之元件特性。
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To be able to understand the device characteristics of PN diode and LED.
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4 計畫評估
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4
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能了解半導體的演進與產業發展。
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To be able to understand the history and industrial development of semiconductor.
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7 適應社會
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就業力培養目標 |
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校指標 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
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專業知識 |
實務技能 |
資訊能力 |
整合創新 |
外語能力 |
熱誠抗壓 |
表達溝通 |
敬業合群 |
人文素養 |
服務關懷 |
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30% |
30% |
0% |
30% |
0% |
10% |
0% |
0% |
0% |
0% |
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系指標 |
1 |
2 |
4 |
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3 |
6 |
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7 |
5 |
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8 |
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工程知識 |
設計實驗 |
計畫評估 |
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整合創新與資訊能力 |
團隊合作與整合創新 |
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適應社會 |
報告溝通 |
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職業倫理 |
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30% |
0% |
30% |
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30% |
0% |
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10% |
0% |
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0% |
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中文課程大綱 |
1. 簡介 2. 晶體結構 3. 能帶的形成 4. 平衡半導體 5. 載子傳輸現象 6. P-N 接面與元件 7. 發光二極體
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英/日文課程大綱 |
1. Introduction 2. The Crystal Structure of Solids 3. Formation of Energy Bands 4. The Semiconductor in Equilibrium 5. Carrier Transport Phenomena 6. P-N Junction and devices 7. Light Emitting diode (LED)
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課程進度表 |
週次 授課內容及主題 1 課程講解與載子能帶與載子濃度介紹 2 載子能帶與載子濃度 3 載子傳輸現象 4 載子傳輸現象 5 P-N接面 6 P-N接面 7 金屬-半導體接觸 8 金屬-半導體接觸 9 金屬-半導體接觸 10 期中考試 11 金氧半-場效電晶體(MOSFET) 12 金氧半-場效電晶體(MOSFET) 13 金氧半-場效電晶體(MOSFET) 14 MOSFET短通道效應 15 MOSFET短通道效應 16 SOI 元件 17 奈米元件 18 期末考試
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課程融入SDGs |
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期考調查 |
期中考(第9週)考試方式 |
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期末考(第18週)考試方式 |
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其他週考試考試週次與方式 |
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教學方式與評量方式 |
課程學習目標 | 教學方式 | 評量方式 |
能詮釋半導體之專有名詞與基本知識。。 |
課堂講授
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筆試
(
期中
)
筆試
(
期末
)
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能了解半導體之基本原理與相關計算。 |
課堂講授
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筆試
(
平時
)
筆試
(
期中
)
筆試
(
期末
)
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能分析pn二極體與發光二極體之元件特性。 |
課堂講授
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筆試
(
平時
)
筆試
(
期中
)
筆試
(
期末
)
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能了解半導體的演進與產業發展。 |
課堂講授
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筆試
(
期中
)
筆試
(
期末
)
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指定用書 |
書名 |
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作者 |
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書局 |
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年份 |
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國際標準書號(ISBN) |
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版本 |
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請同學尊重智慧財產權,使用正版教科書,不得非法影印,以免觸犯智慧財產權相關法令
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參考書籍 |
序號 作者 書名 出版社 出版年 出版地 ISBN# 1 S. M. Sze (施敏) Semiconductor Device Physics and Technology Wiley 2001 美國 0471333727 2 S. M. Sze (施敏) 半導體元件物理與製作技術 國立交通大學出版社 2002 台灣 9573015137 3 S. M. Sze (施敏) Physics of Semiconductor Devices Wiley 2007 美國 9780471143239 4 S. M. Sze (施敏) 半導體元件物理學 國立交通大學出版社 2008 台灣 9789868439511
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教學軟體 |
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課程規範 |
請準時出席,不要遲到.
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